全自動高溫濕法蝕刻設備（Patterned Sapphire Substrate 即圖形化藍寶石基板，簡稱PSS設備）  

• Wet PSS(Pattern Sapphire Substrate )

• Wet PSS(Pattern Sapphire Substrate )

• Wet PSS(Pattern Sapphire Substrate )

設計清洗規格為：

2 inch ,4cassette/Batch, 25 Pcs/cassette； 

4 inch，2 cassette/ Batch，25 Pcs/cassette； 

6 inch，1 cassette/ Batch，25 Pcs/cassette； 

清洗過程為全自動控制 

工藝配置：上料臺 → 溫槽 → 高溫槽 → 低溫槽 → QDR → 下料臺 

*高溫槽可根據工藝及產能的要求擴充； 

PSS對均溫性要求極為嚴格，工作溫度區間介于250至300℃； 

從RT加溫到工藝溫度的時間<60 Min;

溫度的均勻性：+/-2℃;

MBTF>1000 Hours;

MTTR<4 hours;

Up Time>95%

全自動封閉系統； 

高產能、運行成本低 

清洗機系統，包括：設備主體、電氣控制部分、機械手傳動部分，酸腐蝕工   藝槽、純水清洗槽等；

提供與廠務供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統配套的接口等

優點：PSS對均溫性要求極為嚴格，工作溫度區間介于280至300℃，溫度誤差要求±1℃，溫度精度誤差要求±0.1℃。至于側蝕均勻度有三個重要指標:Wafer本身、Wafer to Wafer及 Run to Run均需在正負3%。